FDC6312P
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDC6312P |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.68 |
10+ | $0.584 |
100+ | $0.4363 |
500+ | $0.3428 |
1000+ | $0.2649 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-6 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.3A, 4.5V |
Leistung - max | 700mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 467pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.3A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | FDC6312 |
FDC6312P Einzelheiten PDF [English] | FDC6312P PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDC6312Ponsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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